Transistörler - IGBT - Tekil
FGA60N65SMD
IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA60N65SMD
FGA60N65SMD Hakkında
FGA60N65SMD, onsemi tarafından üretilen 650V Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3P paket içinde 120A collector akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 600W maksimum güç dağıtımı ve 189nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışma aralığına sahiptir. Vce(on) voltajı 15V gate voltajında 60A akımda 2.5V olarak belirlenmişdir. Switching energy değerleri sırasıyla 1.54mJ (açılış) ve 450µJ (kapanış) dir. 47ns reverse recovery time ile düşük kayıplar sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Gate Charge | 189 nC |
| IGBT Type | Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/104ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 3Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok