Transistörler - IGBT - Tekil

FGA6065ADF

IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO3PN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA6065AD

FGA6065ADF Hakkında

FGA6065ADF, onsemi tarafından üretilen 650V 120A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, 306W maksimum güç seviyesinde çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, 2.3V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 84nC gate charge ve 110ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. 25.6ns açılış ve 71ns kapanış gecikmesi (Td) ile hassas zamanlama gerektiren endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. Pulse akımı 180A'ye kadar çıkabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 120 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 180 A
Gate Charge 84 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 306 W
Reverse Recovery Time (trr) 110 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 2.46mJ (on), 520µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 25.6ns/71ns
Test Condition 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok