Transistörler - IGBT - Tekil
FGA6065ADF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA6065ADF
FGA6065ADF Hakkında
FGA6065ADF, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisinde bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 650V maksimum collector-emitter gerilimi ve 120A maksimum collector akımına sahip bu bileşen, 306W güç dağıtımı kapasitesi ile yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 paketinde yerleştirilmiş olan FGA6065ADF, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. 110ns reverse recovery süresi ve 2.46mJ açılış / 520µJ kapanış switching enerjisi sayesinde, endüstriyel sürücü devreleri, invertör uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur. Standard input tipli bu transistör, hızlı switching özellikleri ile enerji verimliliğini artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Gate Charge | 84 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 306 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 110 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 2.46mJ (on), 520µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25.6ns/71ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok