Transistörler - IGBT - Tekil
FGA50T65SHD
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA50T65SHD
FGA50T65SHD Hakkında
FGA50T65SHD, onsemi tarafından üretilen 650V 100A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 87 nC gate charge ve 34.6 ns reverse recovery time özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Maksimum 319W güç disipasyonu kapasitesi ile inverter, UPS, endüstriyel motor kontrolü ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 87 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 319 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34.6 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 1.28mJ (on), 384µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22.4ns/73.6ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok