Transistörler - IGBT - Tekil

FGA50S110P

IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA50S110P

FGA50S110P Hakkında

FGA50S110P, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 1100V kollektör-emitör breakdown voltajı ve 50A maksimum kolektör akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 195nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Maksimum 300W güç dağıtma kapasitesi ile endüstriyel invertörler, motor sürücüleri ve güç elektronik dönüştürücülerinde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akım için 2.6V olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 195 nC
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 W
Supplier Device Package TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok