Transistörler - IGBT - Tekil

FGA50N100BNTTU

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA50N100BN

FGA50N100BNTTU Hakkında

FGA50N100BNTTU, onsemi tarafından üretilen 1000V/50A NPT ve Trench tipli IGBT transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 156W maksimum güç dissipasyonuna ve 200A pulse collector akımına sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 60A akımda 2.9V olarak belirtilmiştir. On/off gecikmesi sırasıyla 34ns/243ns'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel invertörler, kaynak makinaları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Gate Charge 257 nC
IGBT Type NPT and Trench
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 156 W
Supplier Device Package TO-3P
Td (on/off) @ 25°C 34ns/243ns
Test Condition 600V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok