Transistörler - IGBT - Tekil
FGA50N100BNTDTU
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA50N100BNTD
FGA50N100BNTDTU Hakkında
FGA50N100BNTDTU, onsemi tarafından üretilen 1000V/50A IGBT transistörüdür. NPT ve Trench teknolojisini birleştiren bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-3P paket tipi ile Through Hole montajını destekler. 156W maksimum güç kapasitesi ile güç elektroniği devrelerinde, endüstriyel invertörler, kaynak makineleri ve motor sürücü uygulamalarında yer alır. Maksimum gate charge 275 nC ve reverse recovery time 1.5 µs özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenli operasyon sunar. Vce(on) değeri 2.9V (@15V, 60A) ile düşük iletim kaybı karakteristiği gösterir. Not: Bu ürün Obsolete (üretimi durdurulmuş) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 100 A |
| Gate Charge | 275 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 156 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok