Transistörler - IGBT - Tekil
FGA50N100BNTD2
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA50N100BNTD2
FGA50N100BNTD2 Hakkında
FGA50N100BNTD2, onsemi tarafından üretilen 1000V/50A kapasiteli NPT ve Trench tipi IGBT transistörüdür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 156W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 60A kolektör akımında 2.9V'dur. 257nC gate charge ve 75ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Pulse akımı 200A'ye çıkabilen bu IGBT, endüstriyel güç elektronikleri, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüştürme sistemlerinde kullanıma uygundur. Standart input tipine sahip, through-hole montajı destekler. Mevcut parça durumu obsolete'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Gate Charge | 257 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 156 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/243ns |
| Test Condition | 600V, 60A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok