Transistörler - IGBT - Tekil
FGA40T65SHDF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA40T65SHDF
FGA40T65SHDF Hakkında
FGA40T65SHDF, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80A DC collector akımı ile tasarlanmıştır. Yüksek güç uygulamalarında anahtarlama (switching) işlevlerini gerçekleştirmek için kullanılır. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, motorlar, güç dönüştürücüler, invertörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak yer alır. 268W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, 101ns reverse recovery time ve hızlı switching karakteristikleriyle (-55°C ile +175°C işletme sıcaklığı aralığında) güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 68 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 268 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 101 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok