Transistörler - IGBT - Tekil
FGA40T65SHDF
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA40T65SHDF
FGA40T65SHDF Hakkında
FGA40T65SHDF, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 80A sürekli ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3PN paketinde sunulan transistör, 1.81V tipik Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 68nC gate charge ve 18ns/64ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı komutasyon özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 268W güç tüketebilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, AC/DC konvertörler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 68 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 268 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 101 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 1.22mJ (on), 440µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok