Transistörler - IGBT - Tekil
FGA40S65SH
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA40S65SH
FGA40S65SH Hakkında
FGA40S65SH, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip tekil IGBT transistördür. 650V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80A collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-3P-3 (SC-65-3) DIP paketinde sunulan bu komponent, 268W maksimum güç yönetebilir. Switching karakteristikleri 25°C'de 19.2ns açılış ve 68.8ns kapanış zamanı ile hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Invertörler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılan endüstriyel seviye bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 73 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 268 W |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 194µJ (on), 388µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 19.2ns/68.8ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok