Transistörler - IGBT - Tekil

FGA40N65SMD

IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN

Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA40N65SMD

FGA40N65SMD Hakkında

FGA40N65SMD, Rochester Electronics tarafından üretilen Field Stop IGBT transistörüdür. 650V kollektör-emitör gerilimi ve 80A maksimum akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, 349W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 42ns reverse recovery time ve düşük switching energy değerleri (on: 820µJ, off: 260µJ) ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, endüstriyel motor kontrol devreleri, kaynak makineleri, UPS sistemleri ve güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A
Gate Charge 119 nC
IGBT Type Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Active
Power - Max 349 W
Reverse Recovery Time (trr) 42 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 820µJ (on), 260µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 12ns/92ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok