Transistörler - IGBT - Tekil
FGA30T65SHD
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA30T65SHD
FGA30T65SHD Hakkında
FGA30T65SHD, Rochester Electronics tarafından üretilen 650V/60A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 238W maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 31.8ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon performansı sağlar. -55°C ile +175°C aralığında güvenilir çalışma sunmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 30A kolektör akımında 2.1V'tur. Through-hole montaj tipine sahip olup endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge karakteristiği 54.7nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 54.7 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 238 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8 ns |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Switching Energy | 598µJ (on), 167µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14.4ns/52.8ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok