Transistörler - IGBT - Tekil
FGA30S120P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA30S120P
FGA30S120P Hakkında
FGA30S120P, Rochester Electronics tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojili Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Maksimum 1300V collector-emitter breakdaown gerilimi ve 60A continuous collector akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama elemanıdır. 348W maksimum güç kapasitesine sahip olan komponent, frekans dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans sunar. TO-3P-3 paket tipi sayesinde Through Hole montajı destekler ve yüksek akım uygulamaları için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Gate Charge | 78 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 348 W |
| Supplier Device Package | TO-3PN |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1300 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok