Transistörler - IGBT - Tekil

FGA30N65SMD

IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-3P-3
Seri / Aile Numarası
FGA30N65SMD

FGA30N65SMD Hakkında

FGA30N65SMD, onsemi tarafından üretilen Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V kollektör-emiter bozulma gerilimi ve 60A maksimum kollektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-3P-3 (SC-65-3) through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 300W maksimum güç yönetebilir. 35ns geri kazanım süresi ve 716µJ açılış / 208µJ kapanış enerjisi ile anahtarlama karakteristiği iyi tanımlanmıştır. -55°C ile 175°C arasında işletim sıcaklığında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motorlar sürücüler, inverter devreleri ve benzer uygulamalarda yaygın olarak kullanılmıştır. Ürün şu an üretimi durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
Gate Charge 87 nC
IGBT Type Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300 W
Reverse Recovery Time (trr) 35 ns
Supplier Device Package TO-3PN
Switching Energy 716µJ (on), 208µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 14ns/102ns
Test Condition 400V, 30A, 6Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok