Transistörler - IGBT - Tekil
FGA25N120ANTDTU-F109
IGBT 1200V 50A 312W TO3P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA25N120ANTD
FGA25N120ANTDTU-F109 Hakkında
FGA25N120ANTDTU-F109, onsemi tarafından üretilen 1200V/50A IGBT transistördür. NPT ve Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak işlev görür. TO-3P paketinde sunulan transistör, maksimum 312W güç yönetebilir ve 50ns açılış, 190ns kapanış sürelerine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 50A akımda 2.65V'tur. 350ns reverse recovery time ve 200nC gate charge karakteristiği ile endüstriyel sürücü, kaynak inverterleri, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 200 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 312 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 350 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/190ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok