Transistörler - IGBT - Tekil
FGA25N120ANTDTU
IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO3P
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FGA25N120ANTD
FGA25N120ANTDTU Hakkında
FGA25N120ANTDTU, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. NPT ve Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, maksimum 50A sürekli akım ve 90A pulslu akım kapasitesine sahiptir. TO-3P paketinde sunulan transistör, güç kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 200nC gate charge, 350ns reverse recovery time ve düşük Vce(on) değeri (2.65V) ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüler ve şalter kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Gate Charge | 200 nC |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 312 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 350 ns |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Switching Energy | 4.1mJ (on), 960µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 50ns/190ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.65V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok