Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSM1065B
SILICON CARBIDE DIODE 650V 10A P
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSM1065B
FFSM1065B Hakkında
FFSM1065B, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters voltaj dayanımı ve 10A ile 13.5A arası doğrultma akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1.7V ön voltaj düşümü ve sıfır reverse recovery time (trr) özelliği sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş. Surface Mount paketi (4-PowerTSFN) ile kompakt devre tasarımlarına uygun. Anahtarlama güç kaynakları, PFC devreleri, invertörler ve diğer güç elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 424pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 13.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok