Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

FFSM0665B

SILICON CARBIDE DIODE 650V 6A PQ

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
4-PowerTSFN
Seri / Aile Numarası
FFSM0665B

FFSM0665B Hakkında

FFSM0665B, onsemi tarafından üretilen 650V rated Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. 6A ortalama doğrultma akımı ve 9.1A DC kapasitesi ile tasarlanmıştır. Sıfır reverse recovery time özelliğine sahip olup, 1.7V forward voltage @ 6A ile düşük kayıp sağlar. Surface mount 4-PowerTSFN (4-PQFN 8x8) pakette sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arası junction sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, invertörler, DC-DC konvertörleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 40µA @ 650V reverse leakage ile düşük statik kaybı vardır. 259pF kapasitans @ 1V, 100kHz karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 259pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io) 9.1A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case 4-PowerTSFN
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package 4-PQFN (8x8)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 6 A

Kaynaklar

Datasheet

FFSM0665B PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok