Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSM0665A
650V 6A SIC SBD
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 4-PowerTSFN
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSM0665A
FFSM0665A Hakkında
FFSM0665A, onsemi tarafından üretilen 650V/6A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. Bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında düşük forward voltage düşüşü (1.75V @ 6A) ve zero recovery time özellikleriyle dikkat çeker. Surface mount 4-PowerTSFN paket içinde sunulan diyot, -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışabilir. SiC teknolojisi sayesinde sıcaklık değişimlerine karşı stabil performans sunar. Anahtarlama devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerde, inverter uygulamalarında ve yüksek frekans güç elektroniği sistemlerinde kullanılır. 365pF capacitance değeri, EMI filtreleme ihtiyaçlarına yardımcı olur. 200µA ters yön sızıntı akımı ile güvenilir arka kutuyu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 365pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | 4-PQFN (8x8) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok