Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

FFSH5065A

650V 50A SIC SBD

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-2
Seri / Aile Numarası
FFSH5065A

FFSH5065A Hakkında

FFSH5065A, onsemi tarafından üretilen 650V/50A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. TO-247-2 through-hole paketinde sunulan bu doğrultucu diyot, 1.75V forward voltage'ı ile düşük enerji kaybı sağlar. 0 ns reverse recovery time karakteristiği ile anahtarlama hızını artırır ve EMI'yi azaltır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, solar inverterleri, elektrikli araçlar ve industrial motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 200µA reverse leakage current değeri ile sıcak ortamlarda bile düşük enerji tüketimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 2530pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io) 60A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-247-2
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 50 A

Kaynaklar

Datasheet

FFSH5065A PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok