Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSH4065BDN-F085
SIC DIODE 650V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSH4065BDN
FFSH4065BDN-F085 Hakkında
FFSH4065BDN-F085, onsemi tarafından üretilen 650V Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 20A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 1.7V forward voltaj @ 20A ile karakterize edilen bu SiC diyot, sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FFSH4065BDN, güç dönüştürme, inverter devreleri, UPS sistemleri ve yüksek frekanslı anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi ile üretilmesi, daha düşük ısı kayıpları ve yüksek verim sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 866pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 20A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 20 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok