Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
FFSH2065BDN-F085
650V 20A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- FFSH2065BDN
FFSH2065BDN-F085 Hakkında
FFSH2065BDN-F085, onsemi tarafından üretilen 650V 20A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. GEN1.5 teknolojisine dayanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevini gerçekleştirir. TO-247-3 paketinde sunulan diyot, 1.7V @ 10A forward voltage ile belirlenmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu komponent, reverse recovery time'ı 0 ns olup 500mA üzerinde recovery time göstermez. 650V reverse voltage sınırlamasında reverse leakage akım 40µA ile kontrol altında tutulmuştur. Power conversion, solar inverter ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında kullanılan bu SiC Schottky diyot, aktif statüdedir ve through-hole montajı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok