Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
FFSH20120ADN-F155
DIODE SIC 1200V 10A TO247
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- FFSH20120ADN
FFSH20120ADN-F155 Hakkında
FFSH20120ADN-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen 1200V 10A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 1.75V forward voltage ve 200µA reverse leakage özellikleri ile etkin enerji dönüştürme sağlar. Fast recovery özelliği (≤500ns) sayesinde güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel dönüştürücü devrelerde kullanıma uygundir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, yüksek sıcaklık ortamlarında da güvenilir performans sunar. Through hole montaj tipine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok