Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSD1065B
650V 10A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSD1065B
FFSD1065B Hakkında
FFSD1065B, onsemi tarafından üretilen 650V 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. SiC SBD GEN1.5 serisi içinde yer alan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi görmektedir. 13.5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 1.7V @ 10A ileri voltaj düşümü ile tasarlanmıştır. Sıfır ters iyileşme süresi (trr) sayesinde hızlı anahtarlama özelliği sunar. Surface Mount (TO-252 D-PAK) paketlemesi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ~ 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 424pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 13.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok