Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSD1065A
650V 10A SIC SBD
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSD1065A
FFSD1065A Hakkında
FFSD1065A, onsemi tarafından üretilen 650V 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotdur. Surface Mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 1.75V forward voltaj ve 200µA reverse leakage akımına sahiptir. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlamada kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, inverter devreleri, DC-DC konvertörler ve solar enerji uygulamalarında doğrultma görevinde kullanılır. Düşük kapasitans değeri (575pF @ 1V) yüksek frekanslı uygulamalara uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 18A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok