Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSD0865B-F085
650V 8A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSD0865B
FFSD0865B-F085 Hakkında
FFSD0865B-F085, onsemi tarafından üretilen 650V 8A Silicon Carbide Schottky Barrier Diyot (SBD) GEN1.5 serisidir. Surface Mount TO-252-3 (D-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlemi için tasarlanmıştır. 1.7V forward voltaj ile 8A akımda çalışır ve 650V reverse voltaj dayanımına sahiptir. Reverse recovery time'ı 0ns olduğundan hızlı anahtarlama ve düşük konversiyon kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, fotovoltaik sistemler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 336pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 11.6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok