Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSD0865B
650V 8A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSD0865B
FFSD0865B Hakkında
FFSD0865B, onsemi tarafından üretilen 650V 8A kapasitesinde bir Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. GEN1.5 serisi ürün olarak tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultucu görevini yerine getirir. TO-252-3 (D-PAK) paketinde sunulan diyot, 1.7V forward voltage @ 8A ile karakterize edilir ve 0 ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu komponent, güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 336pF @ 1V kapasitans değeri ve 40µA @ 650V reverse leakage karakteristikleriyle, verimli ve düşük kayıplı doğrultma işlemini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 336pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 11.6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok