Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSD0665B-F085
650V 6A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSD0665B
FFSD0665B-F085 Hakkında
FFSD0665B-F085, onsemi tarafından üretilen 650V 6A kapasitesinde Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. GEN1.5 teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultucu görevini üstlenir. 1.7V ön voltaj düşüşü ile 6A akım taşıyabilen bu diyot, 0 ns ters kurtarma zamanına sahiptir ve bu da anahtarlama devrelerinde düşük kayıp sağlar. TO-252 (D-PAK) paketlemesi ile yüzey montajına uygun olan FFSD0665B-F085, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Şalt kaynakları, konvertörler, invertörler ve enerji dönüşüm devrelerinde kullanılan bu komponent, düşük elektromanyetik girişim (EMI) üretir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 259pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9.1A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok