Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB3065B
650V 30A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB3065B
FFSB3065B Hakkında
FFSB3065B, onsemi tarafından üretilen 650V 30A kapasitesine sahip Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. GEN1.5 teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında düşük forward voltage düşüşü (1.7V @ 30A) sunarak verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, güç kaynakları, inverter, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ile güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1280pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 73A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK-2 (TO-263-2) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 30 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok