Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

FFSB2065B

650V 20A SIC SBD GEN1.5

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FFSB2065B

FFSB2065B Hakkında

FFSB2065B, onsemi tarafından üretilen 650V 20A kapasitesinde Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. GEN1.5 teknolojisiyle tasarlanan bu bileşen, 0ns reverse recovery time ile sıfır geri kazanım süresi sunarak anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan komponent, 22.8A DC doğrultulmuş akım ve 1.7V forward voltage @ 20A özellikleriyle AC/DC güç dönüştürme, inverter, boost konvertör ve solar enerji uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FFSB2065B, düşük kapasitans değeri (866pF @ 1V) ile EMI azaltımında etkin rol oynar ve yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 866pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io) 22.8A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package D²PAK-2 (TO-263-2)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 20 A

Kaynaklar

Datasheet

FFSB2065B PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok