Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB20120A-F085
1200V 20A AUTO SIC SBD
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB20120A
FFSB20120A-F085 Hakkında
FFSB20120A-F085, onsemi tarafından üretilen 1200V/20A Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponent, maksimum 32A DC ortalama doğrultulmuş akımı destekler. 20A'de 1.75V maksimum forward voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. 1200V reverse voltajında 200µA'den az reverse leakage akımı gerçekleştirir. Recovery time'ı olmayan (trr = 0ns) SiC tabanlı tasarımı, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışır. Güç kaynakları, invertörler, konvertörler ve diğer yüksek voltaj/akım uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1220pF @ 1V, 100KHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 32A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 20 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok