Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB1065B-F085
650V 10A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB1065B
FFSB1065B-F085 Hakkında
FFSB1065B-F085, onsemi tarafından üretilen 650V 10A Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diyot (SBD) GEN1.5 serisidir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, düşük forward voltaj düşüşü ve sıfır reverse recovery time ile karakterizedir. 1.7V @ 10A forward voltaj değeri ve 40µA @ 650V reverse leakage akımı ile anahtarlama devrelerinde ve güç dönüştürücülerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 27A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 421pF kapasitansi (1V, 100kHz) ile yüksek frekanslı uygulamalara uygundur. Fotovoltaik invertörler, UPS sistemleri, AC/DC konvertörler ve endüstriyel güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 421pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 27A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok