Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB1065B
650V 10A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB1065B
FFSB1065B Hakkında
FFSB1065B, onsemi tarafından üretilen 650V 10A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. GEN1.5 teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında doğrultma işlevi gerçekleştirir. 27A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 1.7V @ 10A ileri voltaj düşümü ile verimli çalışma sağlar. Sıfır reverse recovery time özelliği sayesinde anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç kaynakları, invertörler, PFC devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 421pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 27A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK-2 (TO-263-2) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok