Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB0865B-F085
650V 8A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB0865B
FFSB0865B-F085 Hakkında
FFSB0865B-F085, onsemi tarafından üretilen 650V 8A kapasitesinde bir Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. GEN1.5 teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. Diode, 1.7V forward voltaj ve sıfır reverse recovery time özelliği ile hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilen bu diyot, güç elektronikleri, enerji dönüştürücüleri, solar invertörler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 336pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10.1A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK-2 (TO-263-2) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok