Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB0865B
650V 8A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB0865B
FFSB0865B Hakkında
FFSB0865B, onsemi tarafından üretilen 650V Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. GEN1.5 teknolojisi ile tasarlanan bu komponent, 8A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. 1.7V ileri voltaj düşüşü ve 40µA ters sızıntı akımı ile düşük kayıplar sağlar. Recovery time gerekmemesi nedeniyle yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Güç kaynakları, inverterler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bu diyot, -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 336pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10.1A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK-2 (TO-263-2) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok