Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB0665B
650V 6A SIC SBD GEN1.5
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB0665B
FFSB0665B Hakkında
FFSB0665B, onsemi tarafından üretilen 650V 6A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyottur. GEN1.5 teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında güç dönüşümü ve doğrultma işlevleri gerçekleştirir. 1.7V maksimum forward voltaj ile düşük ısı kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Fotovoltaik inverterleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel güç elektronikleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 259pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK-2 (TO-263-2) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok