Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
FFSB0465A
650V 4A SIC SBD
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FFSB0465A
FFSB0465A Hakkında
FFSB0465A, onsemi tarafından üretilen 650V 650V dayanımına sahip Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diyotur. 4A nominal akım kapasitesi ile tasarlanmış bu bileşen, yüksek voltajlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Schottky diyot teknolojisi sayesinde çok düşük forward voltage düşüşü (1.75V @ 4A) ve sıfır reverse recovery time sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 175°C arası) ile güç kaynakları, invertörler, çevrimci devreleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paket ile kompakt tasarımlara uygun şekilde integre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 258pF @ 1V, 100kHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 7.7A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 mA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | D²PAK-2 (TO-263-2) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok