IGBT Transistörler - Modüller
FF900R12ME7PB11BPSA1
MEDIUM POWER ECONO
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF900R12ME7PB
FF900R12ME7PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF900R12ME7PB11BPSA1, 900A maksimum akım ve 1200V breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmış Half Bridge IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak üretilen bu transistör, 1.8V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Verimli termal yönetim için chassis mount konfigürasyonuna sahiptir. -40°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel kontrol sistemleri, frekans konvertörleri ve güç dönüştürücüleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 900 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 122 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | AG-ECONOD |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 900A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok