IGBT Transistörler - Modüller
FF900R12IE4VPBOSA1
IGBT MOD 1200V 900A 20MW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF900R12IE4
FF900R12IE4VPBOSA1 Hakkında
FF900R12IE4VPBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/900A yüksek güç IGBT modülüdür. Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanan bu Trench Field Stop tipi transistör, anahtarlama uygulamalarında yüksek akım kapasitesi ile çalışmak üzere geliştirilmiştir. 20mW maksimum güç derecelendirilmesi ile endüstriyel motor kontrolü, UPS sistemleri, kaynak makinaları ve güç dönüştürücüler gibi alanlarda kullanılır. Chassis Mount şasiye monte edilmesi sağlanarak ısıl yönetim optimize edilmiştir. NTC Thermistor entegrasyonu ile sıcaklık koruması sunulmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 900A akımda 2.1V olup, 1200V collector-emitter dış gerilim kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 900 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 900A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok