Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF8MR12W2M1B11BOMA1
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Hakkında
Rochester Electronics tarafından üretilen FF8MR12W2M1B11BOMA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 1200V Drain-Source gerilim ile çalışan bu bileşen, 150A sürekli drenaj akımına sahiptir ve Rds(on) değeri 7.5mOhm'dur. AG-EASY2BM-2 paket türünde sunulan modül, şasis montajı uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu transistör, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında, inverter devreler, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanım için uygundur. SiC teknolojisi sayesinde düşük kapasitans ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 372nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| Supplier Device Package | AG-EASY2BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 60mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok