Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF6MR12W2M1B70BPSA1
LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF6MR12W2M1B70BPSA1
FF6MR12W2M1B70BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF6MR12W2M1B70BPSA1, Silicon Carbide (SiC) tabanlı 2 N-Channel Half Bridge MOSFET dizisi olup yüksek güç anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 1200V (Vdss) dayanıklılığı ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile enerji dönüşüm sistemlerinde, elektrikli araçlar, endüstriyel sürücüler ve yenilenebilir enerji uygulamalarında kullanılır. AG-EASY2B paket formatında chassis mount edilme özelliğine sahiptir. 5.63mOhm on-state direnci düşük kayıplar sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14.7nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY2B |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 80mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok