Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF6MR12W2M1B11BOMA1
MOSFET MODULE 1200V 200A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1, 1200V 200A kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış Silicon Carbide (SiC) tabanlı dual N-Channel MOSFET modülüdür. Maksimum 20mW güç tüketimi ile düşük kayıp özelliği sunar. 5.63mOhm RDS(on) değeri ile sürücü devrelerde, güç elektronikleri dönüştürücülerinde, inverter ve UPS sistemlerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel ve enerji yönetim uygulamalarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.63mOhm @ 200A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY2BM-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok