Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF6MR12KM1PHOSA1
MEDIUM POWER 62MM
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF6MR12KM1PHOSA1
FF6MR12KM1PHOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF6MR12KM1PHOSA1, 1200V Drain-Source gerilim ile çalışan Silicon Carbide (SiC) tabanlı 2 N-Channel Half Bridge MOSFET modülüdür. 250A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu komponent, düşük on-resistance değeri (5.81mOhm @ 250A, 15V) ile yüksek verimlilik sağlar. Chassis mount tipi AG-62MM paketinde sunulan ürün, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek güç uygulamalarında, endüstriyel sürücü devreleri, fotovoltaik inverterleri, elektrikli araç traction kontrol sistemleri ve güç dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 496nC gate charge ve 14700pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 496nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14700pF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.81mOhm @ 250A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-62MM |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 80mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok