IGBT Transistörler - Modüller
FF650R17IE4PBOSA1
IGBT MODULE 1700V 650A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF650R17IE4
FF650R17IE4PBOSA1 Hakkında
FF650R17IE4PBOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT modülüdür. 1700V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 650A maksimum kolektör akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu modül, 2 bağımsız IGBT yapılandırmasına sahiptir. 2.45V Vce(on) değeri ile düşük konma kaybı sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışabilen ve NTC thermistor içeren modül, güç elektronikleri, motor kontrol, renewable energy sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Şasi montajı tipi olan FF650R17IE4PBOSA1, standart input seviyesi ile çalışmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 650 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok