IGBT Transistörler - Modüller
FF650R17IE4DPB2BOSA1
IGBT MODULE 1700V 650A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF650R17IE4DPB2BOSA1
FF650R17IE4DPB2BOSA1 Hakkında
FF650R17IE4DPB2BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek güç IGBT modülüdür. 1700V kollektör-emitter kırılma voltajı ve 650A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak üretilen bu modül, 2 bağımsız konfigürasyonlu yapısı sayesinde uygulamalarda esneklik sağlar. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 2.45V'dur. Standart giriş tipi ve 54nF input kapasitansi ile hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. Entegre NTC thermistor ile sıcaklık kontrolü sağlanmaktadır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Şasi montajı tipi chassis mount olup, Module paket formatındadır. Yüksek akım uygulamaları, endüstriyel sürücüler, güç dönüştürücüler ve enerji yönetim sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 650 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok