IGBT Transistörler - Modüller
FF650R17IE4DB2BOSA1
IGBT MODULE 1700V 4150W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF650R17IE4DB2
FF650R17IE4DB2BOSA1 Hakkında
FF650R17IE4DB2BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1700V IGBT modülüdür. 2 bağımsız konfigürasyona sahip bu modül, maksimum 4150W güç kapasitesi ve 650A collector akımı ile yüksek güçlü elektrik uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 2.45V olarak belirtilmiştir. Chassis mount tipi kasa tasarımı ve entegre NTC thermistor sensörü ile termal yönetimi sağlar. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme, traction, renewable energy ve endüstriyel motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4150 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok