IGBT Transistörler - Modüller

FF650R17IE4BOSA1

IGBT MODULE 1700V 4150W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FF650R17IE4

FF650R17IE4BOSA1 Hakkında

FF650R17IE4BOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1700V IGBT modülüdür. Maksimum 4150W güç yönetimi kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda güç dönüştürme ve motor kontrolü görevlerinde kullanılır. 2 bağımsız konfigürasyonlu yapısı, 650A collector akımı ve 2.45V Vce(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -40°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında, NTC thermistor ile sıcaklık koruması sunar. Chassis mount tipi ve 54 nF input kapasitansi ile hassas kontrol uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration 2 Independent
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 54 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 4150 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok