IGBT Transistörler - Modüller
FF50R12RT4HOSA1
IGBT MOD 1200V 50A 285W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FF50R12RT4
FF50R12RT4HOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF50R12RT4HOSA1, Half Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V voltaj ve 50A akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop IGBT teknolojisi ile tasarlanmış bu modül, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü, UPS sistemleri ve endüstriyel inverterler gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Maksimum 285W güç kapasitesi ve 2.15V Vce(on) değeri ile etkin enerji yönetimi sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında şasi montaj tipinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 285 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok