Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FF45MR12W1M1PB11BPSA1
LOW POWER EASY AG-EASY1BM-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- FF45MR12W1M1PB11BPSA1
FF45MR12W1M1PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FF45MR12W1M1PB11BPSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. 1200V Drain to Source voltajına dayanıklı bu bileşen, 25A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 45mΩ maksimum Rds(on) değeri ve 62nC gate charge özellikleri ile anahtarlama hızı ve verimlilik sağlar. Chassis mount paketi ile endüstriyel kontrol devreleri, elektrik çevirici üniteleri, PFC (Power Factor Correction) ve renewable energy sistemlerinde uygulanır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1.84nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20mW (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1BM |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok